BSS119E6327参数：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：3,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：170mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@170mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：78pF@25V功率-最大值：360mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：PG-SOT23-3
